从电子平台了解到,鼎阳科技于12月28日召开新品发布会,发布4GHz带宽、12-bit高分辨率的数字示波器SDS7000A和8GHz的自研示波器前端放大器芯片SFA8001。其中SDS7000A是国内第一款4GHz带宽、12-bit高分辨率数字示波器,将国产高分辨率示波器提升到一个新的高度,填补了相关领域的国产空白,而SFA8001是当前国内发布的第一款带宽达到8GHz的自研示波器前端放大器芯片。
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日前,国内存储行业迎来重大喜讯,由至讯创新完全自主研发的国内首款中小容量高可靠性19nm2DNAND闪存芯片研制成功,预计将于明年年初全面投放市场。这是国内存储行业的跨越式突破,技术水平已赶超国际一流。这是国内首款全自研、运用先进工艺的中小容量高可靠性19nm2DNAND闪存芯片。产品将覆盖512Mb、1Gb和2Gb容量,提供1.8V和3.3V电压,并采用业界主流串行接口SPI和WSON封装。其即
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传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构,从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。例如7nm节点以下业界使用极紫外光刻技术实现高精度尺寸微缩。极紫外光刻设备复杂,在现有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管(CFET)技术价值凸显。然而,全硅基CFET的工艺复杂度高,且性能在复杂工艺环境下退化严重。因此,研发与我国主流技术高度兼容的
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几乎每个应用中的半导体数量都在成倍增加,电子工程师面临的诸多设计挑战都归结于需要更高的功率密度。例如下面这几类应用:超大规模数据中心:机架式服务器工作使用的功率让人难以置信,这让公用事业公司和电力工程师难以跟上不断增长的电力需求。电动汽车:从内燃机到800V电池包的过渡会导致动力总成的半导体组件数量呈指数增加。商业和家庭安防应用:随着可视门铃和互联网协议摄像头变得越来越普遍,它们的尺寸越来越小,这
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近日,据中科院官网消息,微电子所集成电路先导工艺研发中心研发团队研制出了一种高性能单晶硅沟道3DNOR储存器。NOR闪存以速度快、可靠性高和使用寿命长等优势,在人工智能、汽车电子和工业领域中发挥着不可替代的作用。目前普遍使用的平面NOR闪存在50纳米以下技术代的尺寸微缩遇到瓶颈,难以进一步提升集成密度、优化器件性能和降低制造成本。为突破上述瓶颈,研究人员提出了多种基于多晶硅沟道的三维NOR(3DN
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TrendForce集邦咨询:Intel新品量产推迟,AMD受惠预估2023年x86ServerCPU比重可望突破22%据TrendForce集邦咨询最新研究,受Intel7良率欠佳影响,新品SapphireRapids大规模量产时程推迟,估计目前SapphireRapids生产良率仅50~60%,冲击主力产品SapphireRapidsMCC,量产计划从今年第四季推迟至2023年上半年。量产时程
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据合肥日报报道,国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪(简称“激光退火仪”)已研制成功。该激光退火仪可解决量子芯片位数增加时的工艺不稳定因素,像“手术刀”一样精准剔除量子芯片中的“瑕疵”,增强量子芯片在向多比特扩展时的性能,从而进一步提升量子芯片的良品率。报道称,该设备由合肥本源量子完全自主研发,可达到百纳米级超高定位精度,对量子芯片中单个量子比特进行局域激光退火,从而定向控制修
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我国是全球重要的集成电路市场,对于集成电路产业一直秉承开放发展的原则,致力于打造全球紧密合作的产业链、供应链。据工信部电子信息司副司长杨旭东11月7日介绍,2021年,我国集成电路全行业销售额首次突破万亿元,达到10458亿元,2012—2021年复合增长率为19%,是同期全球增速的3倍。20020年,我国出台了《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》,所有政策对内外资企业一视同仁。
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据成都高新区消息,11月6日,时值第五届中国国际进口博览会举办期间,成都高新区在上海举办“共话芯路新芯向蓉“成都集成电路产业挑战与机遇专家恳谈会,邀请在沪知名集成电路企业代表商议集成电路产业未来发展趋势。近年来,成都围绕集成电路、新型显示等14个先进制造业实施产业“建圈强链”行动,电子信息产业率先突破万亿。2021年10月,中共中央、国务院印发《成渝地区双城经济圈建设规划纲要》。同时,又有一带一路
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